MXN3349 描述:
MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。
MXN3349使用先进的沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
MXN3349 一般特性:
VDS=-30V, ID=-50A
RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V
先进的高单元密度沟槽技术
低栅极电荷
100%EAS保证
绿色设备可用
MXN3349 应用:
电源管理开关
电池保护应用
MXN3349 引脚:
MXN3349 订购信息:
型号
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存储温度
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封装
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卷盘
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MXN3349 |
-55°C to 150°C |
DFN3x3 |
5000 |
MXN3349 测试电路: