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单P-MOS

MXN3349 DFN3x3

    MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。
    MXN3349使用先进的沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
    MXN3349 描述:
        MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。
        MXN3349使用先进的沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

    MXN3349 一般特性:
    VDS=-30V, ID=-50A
    RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V
    RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V
    先进的高单元密度沟槽技术
    低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用

    MXN3349 应用:
    电源管理开关
    电池保护应用

    MXN3349 引脚:

    MXN3349 订购信息:
    型号
    存储温度
    封装
    卷盘

    MXN3349

    -55°C to 150°C

    DFN3x3

    5000

    MXN3349 测试电路



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