CST200N03G 描述:
CST200N03G是BVDSS=30V,RDSON=1.6mΩ,ID=200A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO263封装。
CST200N03G是高单元密度沟槽N沟MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
CST200N03G符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到认可。
CST200N03G 特点:
100%EAS保证
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST200N03G 产品概述:
|
BVDSS
|
RDSON
|
ID
|
|
30V |
1.6mΩ |
200A |
CST200N03G TO263 引脚配置:
CST200N03G 测试电路:
发送邮件
商务QQ客服
13823761625
