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单N-MOS

CST30100G PDFN5060-8L

    CST30100G是BVDSS=30V,RDSON=3.8mΩ,ID=80A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。
    CST30100G是高单元密度沟槽MOSFET,可为DC/DC转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST30100G符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
    CST30100G Description:
        CST30100G是BVDSS=30V,RDSON=3.8mΩ,ID=80A的N沟道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。
        CST30100G是高单元密度沟槽MOSFET,可为DC/DC转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST30100G符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。

    CST30100G特性:
    超低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST30100G 产品概览:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    3.8mΩ

    80A


    CST30100G PDFN5060-8L 引脚配置:
    CST30100G 测试电路:
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