CST20G04 描述:
CST20G04是N-ch:BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A;P-ch:BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。
CST20G04是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
CST20G04符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
CST20G04 特点:
先进的高细胞密度挖沟技术
超低栅极电荷
出色的CdV/dt效应下降
绿色设备可用
CST20G04 应用:
半桥和逆变器的功率管理
DC-DC转换器
负载开关
CST20G04 产品概述:
BVDSS
|
RDSON
|
ID
|
20V |
22mΩ |
5A |
-20V |
55mΩ |
-3.6A |
CST20G04 SOT 23-6L 引脚配置:

CST20G04 SOT23-6L封装信息:

