NY8A050D是以EPROM作为记忆体的 8 位元微控制器，专为多IO产品的应用而设计，例如遥控器、风扇/灯光控制或 是游乐器周边等等。採用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能等显著优势。NY8A050D核心建立在RISC精简 指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即 能完成，可以让使用者轻鬆地以程式控制完成不同的应用。因此非常适合各种低记忆容量但又複杂的应用。

　　I/O的资源方面，NY8A050D有 6 根弹性的双向I/O脚，每个I/O脚都有单独的暂存器控制为输入或输出脚。而且每一 个I/O脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏极(Open-Drain) 输出。 

　　NY8A050D有一组计时器，可用系统频率当作一般的计时的应用或者从外部讯号触发来计数。 

NY8A050D採用双时钟机制，高速振盪或者低速振盪都由内部RC振盪输入。在双时钟机制下，NY8A050D可选择多 种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与睡眠模式(Halt mode)可节省 电力消耗延长电池寿命。

　　在省电的模式下如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中，有多种事件可以触发中断唤醒NY8A050D进 入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 来处理突发事件。

NY8A050D功能:

 宽广的工作电压：

 2.0V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。

 2.2V ~ 5.5V @系统频率＞8MHz。

 宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。

 512x14 bits EPROM。

 32 bytes SRAM。

 6 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。

 PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。

 PB[5:0]可选择上拉电阻。

 PB[5:4]及PB[2:0]可选择开漏极输出(Open-Drain)。

 PB[3]可选择当作输入或开漏极输出(Open-Drain)。

 4 层程式堆栈 (Stack)。

 存取资料有直接或间接定址模式。

 一组 8 位元上数计时器(Timer0)包含可程式化的频率预除线路。 ? 内建上电复位电路(POR)。

 内建低压复位功能(LVR)。

 内建看门狗计时(WDT)，可由程式韧体控制开关。

 双时钟机制，系统可以随时切换高速振荡或者低速振荡。 

 高速振荡: I_HRC (1~20MHz内部高速RC振荡)

 低速振荡: I_LRC (内部 32KHz低速RC振荡)

 四种工作模式可随系统需求调整电流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode) 与 睡眠模式(Halt mode)。

 三种硬件中断：

 Timer0 溢位中断。

 PB 输入状态改变中断。 

 外部中断输入。

 NY8A050D在待机模式(Standby mode)下的三种唤醒中断： 

 Timer0 溢位中断。

 PB 输入状态改变中断。

 外部中断输入。

 NY8A050D在睡眠模式(Halt mode)下的二种唤醒中断： 

 PB 输入状态改变中断。

 外部中断输入。