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双N-MOS

CST306D PDFN3333-8L

    CST306D是BVDSS=30V,RDSON=5.0mΩ,ID=40A的双N-Ch快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。
    CST306D是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST306D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
    CST306D 说明:
        CST306D是BVDSS=30V,RDSON=5.0mΩ,ID=40A的双N-Ch快速切换Mosfets。提供PDFN3333-8L封装。
        CST306D是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST306D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。

    CST306D 特性:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST306D 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    30V

    5.0mΩ

    40A


    CST306D PDFN3333-8L 引脚配置:
    CST306D双PDFN3333-8L包装外形数据:



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