NS4150C概述：
NS4150C内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计，高达90%的效率更加适合于便携式音频产品。
NS4150C无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本。
NS4150C提供SOP8封装，额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
NS4150C特性：
工作电压范围：3.0V～5.0V
输出功率：2.8W（5V/4Ω,THD=10%）
0.1%THD（0.5W/3.6V）
高达 88%的效率
高 PSRR：-80dB（217Hz）
无需滤波器 Class-D 结构
优异的全带宽 EMI 抑制能力
优异的“上电，掉电”噪声抑制
低静态电流：4mA（3.6V 电源、No load）
过流保护、过热保护、欠压保护
NS4150C提供SOP8封装
NS4150C应用：
平板电脑
行车记录仪
蓝牙音箱
NS4150C典型应用电路：
| 编号 | 管脚名称 | 管脚描述 |
| 1 | CTRL | 工作模式控制，低电平时 Shutdown |
| 2 | Bypass | 内部共模电压旁路电容脚，接 1uF 电容至 GND |
| 3 | INP | 音频输入正极 |
| 4 | INN | 音频输入负极 |
| 5 | VoN | 音频输出负极 |
| 6 | VCC | 电源输入及音频功率管供电脚 |
| 7 | GND | 地 |
| 8 | VoP | 音频输入正极 |
NS4150C是一款超低EMI、无需滤波器 3W单声道D类音频功率放大器。在5V电源下，能够向4Ω负载提供3W的功率，并具有高达90%的效率。NS4150C采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了EMI干扰，最大限度地减少对其他部件的影响。
NS4150C无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件数目、PCB面积和系统成本，利用扩展频谱技术充分优化全新电路设计。芯片内置过流保护、过热保护和欠压保护功能，在异常工作条件下关断芯片，有效地保护芯片不被损坏，当异常条件消除后，NS4150C自动恢复工作。
NS4150C 采用无需输出滤波器的 PWM 调制方式，省去了传统 D 类放大器的 LC 滤波器， 提高了效率，提供了一个更小面积，更低成本的实现方案。
NS4150C上电、掉电噪声抑制：
NS4150C 内置上电，掉电噪声抑制电路， 有效地消除了系统在上电、 下电、唤醒和关断操作时可能出现的瞬态噪声。
NS4150C EMI 增强技术：
NS4150C 内置 EMI 增强技术。 采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度地减少对其他部件的影响
NS4150C 效率：
NS4150C 利用扩展频谱技术充分优化全新 D 类放大器的电路设计，以提高效率。最高可达 88%的效率更加适合于便携式音频产品。
NS4150C 保护电路：
当芯片发生输出引脚之间的短路故障时，过流保护电路会关断芯片以防止芯片被损坏。短路故障 消除后，NS4150C 自动恢复工作。当芯片温度过高时，芯片也会被关断。 温度下降后，NS4150C 继续正常工作。当电源电压过低时，芯片同样会被关断，电源电压恢复后，芯片会再次启动。
NS4150C 电源去耦电容：
电源端加适当的去耦电容可以确保器件的高效率及最佳的 THD+N 性能， 同时为得到良好的高频 瞬态性能，希望电容的 ESR 值要尽量小。一般使用 1uF 的陶瓷电容将 VDD 旁路到地。去耦电容在布 局上应尽可能的靠近芯片的 VDD 放置。如果希望更好地滤除低频噪声，则需要根据具体应用添加一个 10uF 或更大的去耦电容。
NS4150C磁珠与电容：
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