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CLASS AB/D可切换功放

LTK5127

  LTK5127是一款5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
  LTK5127通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V。
  LTK5127采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
  LTK5127采用SOP-8封装。
    LTK5127概述:
      LTK5127是一款5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
      LTK5127通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V,在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率,新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器,从而节省了系统成本和PCB空间,是便携式应用的理想选择。
      LTK5127采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
      LTK5127采用SOP-8封装。


    LTK5127特点:
    无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和低 EMI
    FM 模式无干扰
    优异的爆破声抑制电路
    低底噪、低失真
    DRC 动态失真矫正电路
    10% THD+N,VDD=5V,4Ω 负载下,提供高达 3W 的输出功率
    10% THD+N,VDD=5V,2Ω 负载下,提供高达 5W 的输出功率
    短路电流保护
    欠压保护
    关断电流 < 0.5uA
    LTK5127多种功率封装模式: SOP-8
    过热保护


    LTK5127应用:
    蓝牙音箱
    拉杆音箱
    USB 音响
    视频机
    扩音器等

    LTK5127
    封装信息:
    产品 封装形式 封装尺寸
    (mm)
    脚间距
    (mm)
    LTK5127 SOP-8



    LTK5127典型应用电路



    LTK5127功放电路管脚脚位图



    LTK5127引脚定义:



    LTK5127原理图框图:





    LTK5127最大额定值(TA=25℃)

    参数名称 符号 数值 单位
    工作电压 Vcc 6.0 V
    存储温度 Tstg -65℃-150℃
    输入电压 -0.3 to +(0.3+ Vcc) V
    功率消耗 PD 见附注1 W
    结温度 160℃
    附注1:最大功耗取决于三个因素:TJMAX,TA,θJA,它的计算公式PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA,LTK5127的TJMA=150℃。TA为外部环境的温度,θJA取决于不同的封装形式。


    LTK5127电气参数


    一、LTK5127  CLASS D 模式

    1)LTK5127静态电气参数

    MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
    VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
    IDD 静态电源电流 MODE=VDD;VDD=5V,IO=0A 2 5 8 mA
    ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
    FSW 振荡频率 VDD=2.5V 到 5.5V 480 kHz
    Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
    η 效率   THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω; 87 %
    THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω; 90
    OTP 过温保护 155
    RDSON 静态导通电阻 IDS=0.5A  VGS=5V P_MOSFET 180
    N_MOSFET 140
     

    2)LTK5127动态电气参数
     MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
     
     
    Po
     
     
     
    输出功率
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.9  
    W
    VDD=3.6V 2.3
    VDD=3V 1.3
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.5  
    W
    VDD=3.6V 1.6
    VDD=3V 0.8
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.9 5.5  
    W
    VDD=3.6V 3.2 3.5
    VDD=3V 2.3 2.6
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.6 4.8  
    W
    VDD=3.6V 2.8 3
    VDD=3V 1.4 1.5
    THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.12  
    %
    VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.1
    VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.12
    VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.1
    PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
    RL=8Ω, CB=2.2µF
    64 dB
    SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 85 dB
     

    二、LTK5127   CLASS AB 模式(ESOP-8封装)

    1)LTK5127静态电气参数
    MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
    VDD 电源电压 2.5 5 5.5 V
    IDD 静态电源电流 VDD=5V,IO=0A 6 10 14 mA
    ISHDN 关断电流 VDD=2.5V 到 5.5V 1 uA
    Vos 输出失调电压 VDD=5V,VIN=0V 10 mV
    OTP 过温保护 155
     

     2 LTK5127动态电气参数
     MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
    信号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
     
     
    Po
     
     
     
    输出功率
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.9  
    W
    VDD=3.6V 2
    VDD=3V 1.3
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=4Ω;
    VDD=5V 2.6  
    W
    VDD=3.6V 1.6
    VDD=3V 0.8
    THD+N=10%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.9 5.5  
    W
    VDD=3.6V 3.2 3.5
    VDD=3V 2.3 2.6
    THD+N=1%, f=1kHz
    RL=2Ω;
    VDD=5V 4.5 4.6  
    W
    VDD=3.6V 2.7 2.9
    VDD=3V 1.4 1.5
    THD+N 总谐波失真加噪声 VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω f=1kHz 0.18  
    %
    VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω 0.15
    VDD=5V Po=1W,RL=4Ω f=1kHz 0.15
    VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω 0.12
    PSRR 电源电压抑制比 VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS,
    RL=8Ω, CB=2.2µF
    69 dB
    SNR 信噪比 VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB 82 dB

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