LTK5129概述:
LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
LTK5129通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V,在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率,新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器,从而节省了系统成本和PCB空间,是便携式应用的理想选择。
LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
LTK5129采用ESOP-8封装。
LTK5129 是一款5.5W、单声道AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器的音频功率放大芯片。
LTK5129通过一个MODE管脚可以方便地切换为AB类模式,完全消除EMI干扰。工作电压2.5V-5.5V,在D类放大器模式下可以提供高于90%的效率,新型的无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输低通滤波器,从而节省了系统成本和PCB空间,是便携式应用的理想选择。
LTK5129采用独有的DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更加出色。
LTK5129采用ESOP-8封装。
LTK5129特点:
无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和低 EMI
FM 模式无干扰
优异的爆破声抑制电路
低底噪、低失真
DRC 动态失真矫正电路
10% THD+N,VDD=5V,4Ω 负载下,提供高达 3.3W 的输出功率
10% THD+N,VDD=5V,2Ω 负载下,提供高达 5.5W 的输出功率
短路电流保护
欠压保护
关断电流 < 0.5uA
LTK5129多种功率封装模式: ESOP-8
过热保护
LTK5129应用:
蓝牙音箱
拉杆音箱
USB 音响
视频机
扩音器等
LTK5129典型应用电路:
LTK5129功放电路管脚图:
LTK5129管脚功能描述:
LTK5129原理框图:
LTK5129 最大额定值(TA=25℃)
参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
工作电压 | Vcc | 6.0 | V |
存储温度 | Tstg | -65℃-150℃ | ℃ |
输入电压 | -0.3 to +(0.3+ Vcc) | V | |
功率消耗 | PD | 见附注1 | W |
结温度 | 160℃ | ℃ |
LTK5129 电气参数
LTK5129 CLASS D 模式:
1)静态电气参数
MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
信号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
VDD | 电源电压 | 2.5 | 5 | 5.5 | V | ||
IDD | 静态电源电流 | MODE=VDD;VDD=5V,IO=0A | 2 | 5 | 8 | mA | |
ISHDN | 关断电流 | VDD=2.5V 到 5.5V | 1 | uA | |||
FSW | 振荡频率 | VDD=2.5V 到 5.5V | 480 | kHz | |||
Vos | 输出失调电压 | VDD=5V,VIN=0V | 10 | mV | |||
η | 效率 | THD+N=10%, f=1kHz,RL=2Ω; | 87 | % | |||
THD+N=10%, f=1kHz,RL=4Ω; | 90 | ||||||
OTP | 过温保护 | 155 | ℃ | ||||
RDSON | 静态导通电阻 | IDS=0.5A VGS=5V | P_MOSFET | 180 | mΩ | ||
N_MOSFET | 140 |
2)动态电气参数
MODE=VDD, ClassD 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
信号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
Po |
输出功率 |
THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω; |
VDD=5V | 3.3 | W |
||
VDD=3.6V | 2.4 | ||||||
VDD=3V | 1.8 | ||||||
THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω; |
VDD=5V | 2.6 | W |
||||
VDD=3.6V | 1.8 | ||||||
VDD=3V | 1.2 | ||||||
THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω; |
VDD=5V | 5.4 | 5.5 | W |
|||
VDD=3.6V | 3.3 | 3.5 | |||||
VDD=3V | 2.4 | 2.6 | |||||
THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω; |
VDD=5V | 4.8 | 4.9 | W |
|||
VDD=3.6V | 2.9 | 3 | |||||
VDD=3V | 1.4 | 1.5 | |||||
THD+N | 总谐波失真加噪声 | VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω | f=1kHz | 0.12 | % |
||
VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω | 0.1 | ||||||
VDD=5V Po=1W,RL=4Ω | f=1kHz | 0.12 | |||||
VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω | 0.1 | ||||||
PSRR | 电源电压抑制比 | VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF |
64 | dB | |||
SNR | 信噪比 | VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB | 85 | dB |
LTK5129 CLASS AB 模式(ESOP-8封装)
1)静态电气参数
MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
信号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
VDD | 电源电压 | 2.5 | 5 | 5.5 | V | |
IDD | 静态电源电流 | VDD=5V,IO=0A | 6 | 10 | 14 | mA |
ISHDN | 关断电流 | VDD=2.5V 到 5.5V | 1 | uA | ||
Vos | 输出失调电压 | VDD=5V,VIN=0V | 10 | mV | ||
OTP | 过温保护 | 155 | ℃ |
2)动态电气参数
MODE=GND, ClassAB 模式,VDD=5V,TA=25℃的条件下:
信号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
Po |
输出功率 |
THD+N=10%, f=1kHz RL=4Ω; |
VDD=5V | 3.3 | W |
||
VDD=3.6V | 2.4 | ||||||
VDD=3V | 1.8 | ||||||
THD+N=1%, f=1kHz RL=4Ω; |
VDD=5V | 2.6 | W |
||||
VDD=3.6V | 1.8 | ||||||
VDD=3V | 1.2 | ||||||
THD+N=10%, f=1kHz RL=2Ω; |
VDD=5V | 5.4 | 5.5 | W |
|||
VDD=3.6V | 3.3 | 3.5 | |||||
VDD=3V | 2.4 | 2.6 | |||||
THD+N=1%, f=1kHz RL=2Ω; |
VDD=5V | 4.8 | 4.9 | W |
|||
VDD=3.6V | 2.9 | 3 | |||||
VDD=3V | 1.4 | 1.5 | |||||
THD+N | 总谐波失真加噪声 | VDD=5V Po=0.6W, RL=8Ω | f=1kHz | 0.18 | % |
||
VDD=3.6V Po=0.6W, RL=8Ω | 0.15 | ||||||
VDD=5V Po=1W,RL=4Ω | f=1kHz | 0.15 | |||||
VDD=3.6V Po=1W, RL=4Ω | 0.12 | ||||||
PSRR | 电源电压抑制比 | VDD=5V, VRIPPLE=200mVRMS, RL=8Ω, CB=2.2µF |
69 | dB | |||
SNR | 信噪比 | VDD=5V, Vorms=1V, Gv=20dB | 82 | dB |