MOS管的四种类型

    当 v =0时，MOS 管不导通，输出为低电平。VoL。只要 R 远小于 MOS管的截止内阻.RorF,则。VoL= VvD。

    当v1

    N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同，都采用P 型衬底，导电沟道为 N型。所不同的是在耗尽VpD型 MOS 管中，栅极下面的二氧化硅绝缘层中掺进RD了一定浓度的正离子。这些正离子所形成的电场足以将衬底中的少数载流子——电子吸引到栅极下面的衬底表面，在 D-S 间形成导电沟道。因 v  i 此，在vCS=0时就已经有导电沟道存在了。vC3为增大； 为负时导电沟道 v 正时导电沟道变宽， i  vGS变窄， i 减小。

    直到  v  小于某一个负电压值VcS(eff)时，导电沟道才消失，MOS 管截止。V6S(eff)图3.3.8 用 P沟道增强型称为 N 沟道耗尽型 MOS管的夹断电压。 MOS管接成的开关电路　　图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的，表示vCS=0时已有导电沟道存在。其余部分的画法和增强型 MOS 管相同。　在正常工作时，N沟道耗尽型 MOS管的衬底同样应接至源极或系统的电位上。

    P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同，也是 N 型衬底，导电沟道为 P 型。所不同的是在 P 沟道耗尽型 MOS管中，vcs=0时已经vCs有导电沟道存在了。当 vcs为负时导电沟道进一步加宽， i 的增加；而vCS为正时导电沟道变窄， i 的减小。当(  v  的正电压大于夹断电压Vcs(odf)时，导电沟道消失，管子截止。　　

    图3.3.10 是 P 沟道耗尽型 MOS 管的符号。工作时应将它的衬底和源极相连，或将衬底接至系统的电位上。