兆易创新：价格平稳，MCU进入筑底阶段

来源：道合顺芯闻

    12月26日，兆易创新在投资者互动平台表示，在今年三季度末大存储出现一些价格反弹，此反弹对利基存储有一定的带动效应，利基存储价格也在筑底并有微弱反弹。NOR Flash和SLC Nand Flash价格基本已经趋于平稳，价格真正有效的反弹还要再持续观察。

    兆易创新DRAM主要为利基型产品，包括小容量DDR4、DDR3等产品，也在积极开展8Gb DDR4等其他利基型DRAM产品研发，以补齐整个标准接口利基型DRAM产品线，有效支撑公司DRAM业务发展，满足客户需求。

    其中，SPI NAND Flash产品在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖，公司Parallel NAND Flash产品可覆盖1Gb~8Gb四个容量范围，为工业、通讯、以及消费类电子提供丰富、高速、高可靠的方案选择。