德国博世收购美国TSI，全球半导体领域再添并购案

来源：全球半导体观察 作者：Niki

    据国外媒体报道，德国博世集团于本周三表示，将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，以扩大其碳化硅芯片（SiC）的半导体业务。

    目前，博世和TSI公司已经达成协议，但并未透露此次收购的具体细节，且这项收购还需要得到监管部门的批准。

    资料显示，TSI是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前，主要开发和生产200毫米硅晶圆上的大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学等行业的应用。

    而博世在半导体领域的生产时间已超过60年，在全球范围内投资了数十亿欧元，特别是在德国罗伊特林根和德累斯顿的水厂。博世认为，此次收购将加强其国际半导体制造网络。

    博世表示，收购完成后，未来几年将投资15亿美元升级TSI半导体在加利福尼亚州罗斯维尔的制造设施。从2026年开始，第一批芯片将在基于碳化硅的200毫米晶圆上生产。

    近年来，在光伏储能场景加速导入，以及新能源汽车快速发展下，碳化硅市场将维持供不应求态势。尤其是电动汽车的投放进一步带动了汽车芯片的需求。而随着自动驾驶等功能的增加，汽车芯片数量大约在1200个左右。

    博世集团首席执行官Stefan Hartung亦表示，电动汽车增长情况表明，碳化硅芯片需求“正在爆发式增长”。

    据市场研究机构TrendForce集邦咨询研究统计，随着相关大厂与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。此外，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场产值可望达53.3亿美元。