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CST20P80G PDFN5060-8L
CST20P80G是BVDSS=-18V,RDSON=2.4mΩ,ID=-85A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
CST20P80G是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
CST20P80G符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
CST20P80G是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
CST20P80G符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
CST20P80G 描述:
CST20P80G是BVDSS=-18V,RDSON=2.4mΩ,ID=-85A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
CST20P80G是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。
CST20P80G符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
CST20P80G 特点:
超低栅极电荷
绿色设备可用
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST20P80G 产品概述:
BVDSS | RDSON | ID |
-18V | 2.4mΩ | -85A |
CST20P80G PDFN5060-8L 引脚配置:
CST20P80G 测试电路:
CST20P80G PDFN5060-8L封装信息:
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