MOS管是一种场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET),其名称源自金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)。MOS管包括两种类型:NMOS(N-Channel MOS)和PMOS(P-Channel MOS)。 NMOS(N-Channel MOS):
NMOS管是一种使用N型沟道的场效应晶体管。它由N型沟道、P型基底和控制门构成。
当正电压施加到控制门上时,形成的电场使得N型沟道中的电子流动,从而导通了NMOS管。
NMOS管的特点是在控制门施加正电压时导通,施加零电压时截止。
PMOS(P-Channel MOS):
PMOS管是一种使用P型沟道的场效应晶体管。它由P型沟道、N型基底和控制门构成。
当负电压施加到控制门上时,形成的电场使得P型沟道中的空穴流动,从而导通了PMOS管。
PMOS管的特点是在控制门施加负电压时导通,施加零电压时截止。
NMOS和PMOS区别
三极管(双极型晶体管)的区别:
三极管是一种双极型晶体管,有三个控制电极:发射极、基极和集电极。
与MOS管不同,三极管是通过基极电流控制集电极和发射极之间的电流流动。
三极管在放大和开关电路中广泛使用,而MOS管主要用于集成电路和数字逻辑电路中。
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