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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
Date:September 26, 2024    Views:189

 来源:东芝 作者:东芝

   中国上海,2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

    最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构[1]。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
    东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线,并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。

应用:
    光伏逆变器
    电动汽车充电站
    工业设备UPS的开关电源
特性:
    第3代1200 V SiC SBD
    业界领先的[2]低正向电压:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))
    低总电容电荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)
    低反向电流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)
主要规格:



注:
    [1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构(可在大电流下降低正向电压)整合在JBS结构(不仅可降低肖特基接口的电场,而且还可减少电流泄漏)中。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。
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